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美光发布基于64层3D NAND的UFS 2.1
[2018/3/1]
美光发布了符合UFS2.1标准的嵌入式产品,支持双通道双向读写,G3-2L接口可提供的传输速度是eMMC5.1的两倍,满足捕获高分辨率照片或录制4K视频存储时所需的数据访问速度需求,也可帮助智能手机制造商在人工智能(AI)、虚拟现实、面部识别等方面提高用户体验。 美光新的UFS2.1产品是基于第二代64层3D TLC NAND技术,与前代 3D TLC NAND相比,美光新64层3D TLC NAND产品性能提升50%,而且在同样芯片面积下存储密度翻倍。 这些年,智能型手机快速迭代,尤其是高端旗舰机,再加上拍照、多媒体、下载、APP等应用需求的增加,存储容量的需求随之大增。为了更快、更有效地访问数据,美光基于64层3D TLC NAND技术的UFS2.1新产品可提供高性能和低延迟,且在保证较小的尺寸的同时提供64GB、128GB和256GB三种容量选择。 2016年苹果iPhone7增加256GB容量,日前三星发布的Galaxy S9/S9+搭载的是8核高通骁龙845处理器,4GB/6GB Mobile DRAM,存储容量也升级到了256GB,预计2018年将有更多的旗舰机配置256GB容量。随着数据存储需求的不断增加,预计到2020年高端旗舰机存储容量将由现在的256GB升级到512GB或1TB。 美光移动业务营销副总裁Gino Skulick 表示:“我们都期待未来智能型手机迎来更多大胆的创新,为了顺应这一趋势,存储将扮演着越来越重要的角色。美光不仅提供Mobile DRAM和3D NAND,我们领先的设计还可提供最先进智能型手机所需性能。”
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